紫外光电探测器(UVD)由于在军事、科学检测、通讯等领域具有广泛的实际应用潜力而吸引了大量的研究关注。ZnO作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带(WBG)半导体材料,具有生长温度低,原料丰富,成本低廉,环境友好等优点,因而成为制备UVD的极佳材料。现如今,得益于微纳组装技术的进步,使用一维纳米材料由下而上(bottom-up)制备微纳电子器件也越来越受到重视。本研究工作使用配备有操作探针和气体注入系统(GIS)的FIB/SEM聚焦离子/电子双束显微电镜实现了单根纳米线的精确切割、提取、转移、焊接。这种方法准确、快速、有效,可用于微纳电子器件的组装。首先,我们使用化学气相沉积(CVD)的方法制备出了高质量的单晶ZnO纳米线和p型Sb掺杂ZnO纳米线。然后,使用这种微纳组装的方法制备了ZnO与Sb掺杂ZnO纳米线pn结UVD,并对其进行了光电性能测试。这种UVD展现出如下突出优点:1.较高的灵敏度和稳定性。在-0.1 V反向偏压下,这种UVD的灵敏度约为26.5。2.极高的响应速度。在-0.1 V反向偏压下,这种UVD的响应时间和恢复时间约为30 ms。这种微纳组装工艺非常适合于由下而上地组装特定结构的微纳电子器件,也可以方便、快捷地对纳米材料进行电学性能研究。由此工艺得到的纳米器件具有广泛的实际应用潜力。