氧化锌（ZnO）是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙化合物半导体材料,属于六角晶系6mm点群,它的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。氧化锌晶体在c轴垂直面上具有对称的电学性质和弹性,而在c轴方向择优取向的多晶薄膜具有单晶体似的压电性和光电性质。这些突出的物理特性和平整均匀的表面形貌,使得ZnO薄膜可以广泛应用于集成系统。此外,氧化锌作为压电薄膜具有较高的电阻率,在集成光学上的应用则要求有较高的透过率和折射率。为了进一步发展氧化锌在发光管、紫外光探测器、表面声波器件、压敏电阻器件等方面的应用,人们往往通过掺杂来提高氧化锌的上述性能。其中,人们发现在含锂的Li:ZnO薄膜中再掺入Mg²⁺离子后,不仅可以增强薄膜的电阻,还可以提高薄膜的相对密度。本论文中,在充分理解了氧化锌晶体结构、氧化锌薄膜的压电和光电特性、多层薄膜外延生长缓冲层和集成光学上的应用,以及各种氧化锌薄膜制备技术的基础上,选取了溶胶—凝胶方法,在P型Si（100）衬底上成功地制备了具有c轴择优取向性和高的可见光透射率的多晶ZnO薄膜。通过XRD、SEM以及PL光谱等分析,其结果表明:所制备的是结晶良好的ZnO薄膜,表面均匀致密,薄膜晶粒尺寸大约在15-60 nm,颗粒平均直径大约为38nm。此方法的特点在于操作简单、无毒、实用。由透射谱可知制备的ZnO薄膜在可见光区域内薄膜的平均透射率在85%以上,由光致发光谱可知,室温下可观察到显著的紫外光发射,说明具有较好的光学性质。