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GaN基垂直功率器件击穿机理与新结构研究

来源 :电子科技大学 | 被引量 : 2次 | 上传用户：dahubi

【作 者】

：

李振超 

【出 处】

：

电子科技大学

【发表日期】

：

2017年01期

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