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由于GaInNAs在红外激光器,光探测器,太阳能电池以及光集成等方面巨大的应用前景和相对于GaInAsP的优越性,人们对GaNAs及GaInNAs的研究在最近两、三年里蓬勃发展.也正因为它的起步很晚,所以人们对它们的认识非常有限,以至于在很多最基本的问题上还没有一个共识.本论文就试图从实验上来研究GaNAs和GaInNAs的基本的光电特性,并和现阶段几种争论较为激烈的理论作了比较,从而为增进人们对该材料体系的认识提供实验上的证据.关于GaNAs的导带带边的物理本质,目前主要有三种争论较激烈的观点,它们分别是能带反交叉模型,GaAs导带混合模型,杂质带模型.通过光压力光谱的研究,我们发现GaN<,x>AS<,1-x>(X<0.1)的导带带边态实际上主要是GaAs各导带态相互作用的结果,这为导带混合模型提供了实验的证据.GaN<,x>As<,1-x>(X<0.1)和GaAs形成量子阱时,有的人认为是第一类量子阱,有人认为是第二类量子阱.我们通过对一系列具有相同N的组分而不同阱宽的样品的光学特性的测试,以及用有效质量理论计算的分析,发现GaNAs/GaAs量子阱应该是第一类量子阱.当GaN<,x>As<,1-x>中X值在中等大小时,围绕GaN<,x>As<,1-x>的带隙能量有两种争论,一种认为它是金属型,另一种观点认为GaN<,x>As<,1-x>在整个组分范围都是半导体.我们采用非平衡生长法得到了X=0.33的高组分超晶格样品,光学分析发现它的吸收边约为1.0 eV,虽然我们目前仍无法知道改组分下体相GaNAs的确切带隙能量,但至少证明它仍然是半导体.通过调节N和In的组分,可以使GaInNAs的带隙在1.3μm左右,同时使得它与GaAs晶格匹配,这为实现GaAs基的共振腔增强型(RCE)红外探测器和激光器提供可能.我们的结果显示,1.3μm左右RCE探测器具有很高的量子效率和非常窄的共振响应峰(16meV).