十几年前，由碳原子排列形成蜂窝状晶格结构的石墨烯被发现.石墨烯的电学性质可以通过不同的技术进行调控，包括应变、电场和磁场，这使其在碳基纳米电子器件方面有广阔的应用前景.特别地，超晶格结构使石墨烯的电子结构和隧穿性质本质上发生改变.本文以第六代Thue-Morse有带隙石墨烯超晶格(TMGGS)为研究模型.利用传递矩阵方法研究了其在电场调控下或电磁场共同调控下的电子输运性质和散粒噪声.得到的主要结果如下:　　首先，我们研究了电场调控下第六代TMGGS的电子输运性质和散粒噪声。结果表明:隧穿几率随入射角度变化曲线呈现出不对称性，这是由于带隙和所加偏压共同作用导致的.零平均波数隙的位置不依赖于带隙但高度依赖于偏压.当电子垂直入射时，零带隙情况下发生klein隧穿.随着带隙的增大，带隙抑制klein隧穿的发生，而偏压对klein隧穿的发生无影响.新狄拉克点处的电导最小值和Fano因子峰值敏感依赖于带隙，两者相对应的费米能量敏感依赖于偏压.随着偏压的增加，电导振荡性的减小，而Fano因子则振荡性的增加.　　其次，我们研究了电磁场共同调控下第六代TMGGS的电子输运性质和散粒噪声。结果表明:随着磁场强度的增加，隧穿峰向左移动且隧穿曲线不再关于入射角度对称.当偏压不为零时，零平均波数隙的位置向低能方向移动.这是由于偏压导致静电势结构发生了变化.随着带隙或磁场强度的增大，带隙和磁场抑制Klein隧穿的发生，而偏压对klein隧穿的发生无影响.在带隙为零情况下，由于偏压和磁场的共同作用使新狄拉克点附近的电导不再是最小值而出现一个小的电导峰，且相应的Fano因子峰发生劈裂.电导和Fano因子随着偏压变化时，电导值敏感依赖于带隙宽度和磁场强度，Fano因子值在较大带隙或磁场强度下更接近于Poissonian值.