本文发展了Voigt结构中的椭圆偏振光泵浦-探测光谱及其理论。推导出一个描述吸收量子拍光谱的公式。这种光谱是观察半导体及其量子结构中电子自旋相干弛豫动力学的一种很好的实验手段，具有实验操作容易，设备造价低，图像清晰，适用范围广等优点，具有广阔的应用前景。 本文应用这种光谱技术实验上系统研究了Voigt结构中本征砷化镓电子自旋相干弛豫动力学。发现饱和吸收衰减是等周期阻力振荡式的，即吸收量子拍。通过能量依赖实验，证实这种量子拍起源于电子，而不是激子的自旋的Larmor进动，因而量子拍频率成为度量电子g因子的一种新方法。本文利用这种新方法研究了GaAs中电子g因子的温度和能量依赖特性。g因子的温度依赖性与已报道的实验结论一致，而能量依赖特性是首次报道，但温度和能量依赖均与现有的理论预测不一致，表明现有理论的不完善。 研究了自旋相干动力学的温度依赖，获得了8.1～260K温度范围内的电子自旋相干时间的温度依赖。发现自旋相干弛豫时间T2*与温度的负二分之一次方成正比，为BAP自旋退相干弛豫机制提供了实验支持。