【摘 要】
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二氧化锡(SnO2)作为可以替代石墨负极的锂离子电池负极材料,具有质量比容量和体积比容量高的优势。针对SnO2易粉末化的问题,本文从材料的结构设计出发,采用水热法在不同维数的碳材料上原位生长不同形貌的SnO2,制备出两种具有新型结构的SnO2基复合材料,利用X射线衍射、扫描电镜和热重分析对复合材料进行微结构表征。利用恒电流充放电、循环伏安和交流阻抗等方法对其电化学性能进行系统研究。以SnCl2·2
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二氧化锡(SnO2)作为可以替代石墨负极的锂离子电池负极材料,具有质量比容量和体积比容量高的优势。针对SnO2易粉末化的问题,本文从材料的结构设计出发,采用水热法在不同维数的碳材料上原位生长不同形貌的SnO2,制备出两种具有新型结构的SnO2基复合材料,利用X射线衍射、扫描电镜和热重分析对复合材料进行微结构表征。利用恒电流充放电、循环伏安和交流阻抗等方法对其电化学性能进行系统研究。以SnCl2·2H2O为锡源,在多壁碳纳米管表面原位生长SnO2纳米片,制备出具有三维结构的SnO2纳米片/碳纳
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氮化镓是重要的Ⅲ-Ⅴ族宽禁带半导体材料,纳米尺度的GaN由于在电子和光电子器件中的潜在应用已经引起了人们的广泛研究。本论文分别选用金纳米颗粒和铁铬混合物作为催化剂、采用化学气相沉积法制备GaN纳米材料,并采用扫描电镜、透射电镜、高分辨电子显微镜、选区电子衍射、X射线衍射、拉曼光谱、荧光光谱等手段对产物进行了表征,具体研究内容及结果如下:以金纳米颗粒为催化剂时,考察了不同镓源、不同氨气流量对合成氮化
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锂离子电池作为一种绿色清洁的储能设备而受到广泛的重视。大容量、长寿命、高安全性的新型锂离子电池成为人们追求的目标。硅材料因其较大的理论嵌锂容量(4200mAh/g)受到研究者的关注。但是硅在充放电过程中体积变化大,易发生粉化,造成电极电导率下降,循环性能变差。本文采用st ber法和Mg热还原法制备纳米级硅粉;以葡萄糖为碳源,采用高温热解法制备Si/C复合材料;采用st ber法、Mg热还原法和高
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ZnO薄膜材料作为具有优良的光学吸收、透过和导电等性能的半导体材料,成为替代氧化铟和氧化锡的新一代的透明导电薄膜材料。在常温常压条件下ZnO晶体的能带宽度约为3.3eV、激子束缚能约为60meV,同时还具有较高的热稳定性和化学稳定性。在论文当中主要利用第一性原理研究ZnO材料的光学性能和电学性能。在本文中利用第一性原理研究了单个金属掺杂ZnO模型的光学性能和导电性能。选取了第ⅢA族中的Al、Ga、
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