本文采用了基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，对(Ga_1-xFe_x)₂O₃系列晶体的晶体结构、电子性质和光学性质进行研究。以(Ga_1-xFe_x)₂O₃晶格参量的实验值作为参考，建立了晶胞结构，采用GGA+U方案，对α-Ga₂O₃、α-Fe₂O₃、GaFeO₃-A、GaFeO₃-B、α-(Ga_1/4Fe_3/4)₂O₃、α-(Ga_3/4Fe_1/4)₂O₃和GaFeO₃-C晶体进行几何结构优化。以优化后的晶体结构为基础，对晶体的总能量、电子性质和光学性质进行计算研究和对比分析，获得的主要结论如下：七种晶体结构优化后的晶格参量与实验值相符合。α-Fe₂O₃、GaFeO₃-A、GaFeO₃-B、GaFeO₃-C、α-(Ga_1/4Fe_3/4)₂O₃和α-(Ga_3/4Fe_1/4)₂O₃晶体的反铁磁态（AFM）比铁磁态（FM）更稳定；GaFeO₃-A、GaFeO₃-B和GaFeO₃-C中GaFeO₃-A的总能量最低，稳定性最好。GaFeO₃-C是直接带隙半导体；而α-Ga₂O₃、α-Fe₂O₃、GaFeO₃-A、GaFeO₃-B、α-(Ga_3/4Fe_1/4)₂O₃和α-(Ga_1/4Fe_3/4)₂O₃均是间接带隙半导体。刚玉型的α-Ga₂O₃、α-Fe₂O₃、GaFeO₃-A和GaFeO₃-B的吸收系数、光电导率和复介电函数在（100）、（010）和（001）三个方向的曲线几乎完全相同；而钙钛矿型GaFeO₃则不同，为各向异性。α-Ga₂O₃晶体在可见光范围没有吸收，完整的α-Ga₂O₃晶体应该为透明晶体；α-Fe₂O₃、GaFeO₃-A、GaFeO₃-B和GaFeO₃-C晶体在可见光下都有一定的吸收，会有一定量电子-空穴对产生；这五种晶体在可见光光吸收范围不同，Fe含量越多则在可见光的吸收范围越大；钙钛矿型GaFeO₃比刚玉型GaFeO₃可见光吸收范围要大。五种晶体光电导的实部σ1最大值按从大到小顺序排列如下：α-Ga₂O₃、GaFeO₃-C、 GaFeO₃-A、 GaFeO₃-B和α-Fe₂O₃。分析表明，Fe含量的变化能够调节(Ga_1-xFe_x)₂O₃系列晶体的光学性质，这对实验研究具有重要的参考意义。