基于InP-DHBT的高速DAC设计与仿真

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DAC是由数字信号到模拟信号的转换器,它联系着数字和模拟世界。现代电子系统的飞速发展需要更高转换速率的DAC,而InP-DHBT器件的特殊优势,使其近年来在高速DAC领域获得了突出的关注。本文论述了DAC的基本工作原理和InP-DHBT器件的工作原理,层次设计和器件模型等内容。并在这些内容的基础上提出了一种用InP-DHBT实现的电流舵结构电路,这种电路用二进制译码和ROM组成的温度码译码电路替代传统的译码阵列,从而可以在提升速度的同时有效地减小面积和降低成本。根据电路结构,本文采用德国Fraunhofer IAF(Fraunhofer Institute of Applied Solid-State Physics)的InP/InGaAs双异质结双极型晶体管结构(DHBT)进行DAC设计,其发射结面积为4 um 2,截止频率f T和最高振荡频率f max均超过260GHz。用这种器件对模拟和数字部分的电路分别进行了设计和仿真,并把各个部分连接成整体进行了仿真,仿真结果显示,这种电路在6V单电源供电下,可以实现10GSPS的工作速率,INL为0.036LSB和DNL为0.019LSB的静态特性以及SFDR为33.92dB的动态特性。
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