【摘 要】
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随着电场强度增大,电子的平均能量也增大.当电场强度高于5MV/cm时,电子的平均能量可达到2.7eV,比电子直接进入ZnS中的所能获得的能量要高得多,这说明SiO是一种良好的电子加速
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随着电场强度增大,电子的平均能量也增大.当电场强度高于5MV/cm时,电子的平均能量可达到2.7eV,比电子直接进入ZnS中的所能获得的能量要高得多,这说明SiO<,2>是一种良好的电子加速材料,也有力地证明了选择SiO<,2>作为薄膜电致发光电子加速层的正确性;当电场强度为13MV/cm时,电子能量基本达到稳定,为4.4eV左右;从电子的能量分布来看我们认为,簿膜电致发光中的SiO<,2>应该在电场强度大子3MV/cm时,才能对电子起到良好的加速作用.在对无规网络SiO<,2>的研究中,我们首先建立了具有周期性边界条件的理想无规网络SiO<,2>模型,然后在该模型的基础上采用线性原子轨道组合法计算了无规网络SiO<,2>的电子态,最后利用该模型估算了其中的电子迁移率.结果如下:理想无规网络SiO<,2>的导带主要由Si原子贡献,价带主要由O原贡献;价带顶的局域度较大,导带底的局域度很小;计算得到α-SiO<,2>中的迁移率为22cm<2>/Vs,与实验值基本相符.
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