【摘 要】
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通过适量掺杂的SnO2透明导电薄膜具有优异的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。本课题的主要目的是研究水基体系Sol-Gel法SnO2透明导电薄膜的制备。论文采用具有无害对离子的SnC2O4为原料,以H3L-MEA络合Sn4+,采用300℃10min+450℃10min热处理方式,从中性溶胶中制备出了Sb5+掺杂SnO2低电阻薄膜,并在5at% Sb5+掺杂的基
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通过适量掺杂的SnO2透明导电薄膜具有优异的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。本课题的主要目的是研究水基体系Sol-Gel法SnO2透明导电薄膜的制备。论文采用具有无害对离子的SnC2O4为原料,以H3L-MEA络合Sn4+,采用300℃10min+450℃10min热处理方式,从中性溶胶中制备出了Sb5+掺杂SnO2低电阻薄膜,并在5at% Sb5+掺杂的基础上,探讨了Sb-Mo, Sb-F, Sb-Zn离子共掺杂改性。讨论了SnC2O4在羧酸-碱络合体系中的
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