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PDP作为目前市场上主流的平板显示器，具有显示效果好、寿命长、视角广、响应快等优点。但是其行扫描驱动电路中高压功率器件的设计一直是难点。本文旨在设计一组基于厚膜SOI（Silicon On Insulator）的PDP行扫描驱动集成电路中的高压器件，包括电平电路中PLDMOS、P-channel Lateral Double-diffusedMOSFET、NLDMOS、N-channel Lateral Double-diffused MOSFET、以及输出端LIGBT（Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor）。所采用SOI材料的顶层硅厚度为12μm，埋氧层厚度为1μm。与传统的体硅技术相比，SOI技术具有高速、低功耗、高集成度、便于隔离、闩锁效应小等优点。本项目中采用厚膜SOI器件相比于薄膜SOI器件可以获得更大的电流密度，自热效应也得到明显的改善。而在输出端采用LIGBT取代传统的LDMOS，使驱动电路的电流能力增大，提高了芯片的工作速度。本文首先介绍了PDP行扫描驱动电路在整个PDP显示系统中的作用及其高压部分的工作原理。紧接着介绍了PDP行扫描电路中的隔离方式。在这个项目中采用的是在这个项目中的低电压单元的浅沟槽隔离和源极和漏极之间的高电压设备之间，并采用高电压单元和高、低压单元隔离双深槽隔离，，大大的减小了隔离区面积，避免了寄生效应，能显著提高集成电路的集成度和可靠性。本文采用二维仿真软件MEDICI分别对PLDMOS、NLDMOS及LIGBT的关态击穿特性、阈值电压、开态特性等进行了研究。并对漂移区长度、漂移区浓度、场板长度、沟道区浓度、隔离槽位置等器件结构参数进行了优化设计，并对它们对器件性能的影响进行了详细的分析讨论。此外，还分析了LIGBT闩锁效应的产生机理，并在发射极引入了深P+区来缓解该效应。为了缓解LIGBT导通压降与关断损耗的矛盾关系，项目中采用了场阻LIGBT来减小关断时间。本文最后还对SOILIGBT的自热效应进行了分析。优化后的器件关态击穿电压都达到了170V以上并具有较大的正向安全工作区。输出端LIGBT的电流能力达到了4×10-4A/μm以上，关断时间为10-7s。本文设计的这组器件各项指标都满足了PDP行扫描驱动集成电路对高压器件的要求。