【摘 要】
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导电型缓冲层能够使高温超导涂层导体自身就能起到失超保护的作用,而氮化钛是目前唯一能用来制备导电型缓冲层的材料。本文采用离子束辅助沉积(IBAD)方法来制备氮化钛(TiN)薄
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导电型缓冲层能够使高温超导涂层导体自身就能起到失超保护的作用,而氮化钛是目前唯一能用来制备导电型缓冲层的材料。本文采用离子束辅助沉积(IBAD)方法来制备氮化钛(TiN)薄膜,并使用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)两种表征方法对样品进行分析,研究了溅射离子能量、沉积温度、辅助离子束流和能量等参数对薄膜的取向以及表面形貌的影响。结果发现:在溅射离子能量、沉积温度、辅助离子束流和辅助能量等参数中,任意一个参数发生改变,都会对薄膜取向产生影响。其中影响最大的就是(111)峰和(220)峰之间的竞争,而对(200)峰的影响比较小。对于non-IBAD样品,在我们的实验条件范围内,溅射离子源能量的增加有助于薄膜结晶度的升高。对衬底进行加热为衬底上的原子提供更高的能量,从而诱导出(110)取向。而对于IBAD样品,高的辅助离子能量和低的辅助离子束流可以增加衍射峰的强度,但不能选择最优取向,过高的辅助离子束流因为其热力学因素的影响,能够破坏所有的取向。AFM结果表明,辅助离子束有助于TiN的结晶。
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