自本世纪50年代晶体管诞生以来，微电子技术发展异常迅速，目前已进入甚大规模集成电路和系统集成时代，微电子已经成了整个信息技术和产业的基础，也是一个国家综合国力的重要标志。可以毫不夸张地说，没有微电子就没有今天的信息社会。现在，电子信息产业已经成为世界第一产业，毫无疑义，21世纪的微电子技术将得到高速发展。在微电子这一大家庭中，半导体存储器是一类典型的微电子产品。在随机存取存储器中，除了动态存储器(DRAM)外，静态存储器(SRAM)由于其自身的低功耗和高速的优势而成为半导体存储器中不可或缺的一类重要产品。随着工艺水平的不断提高，器件特征尺寸不断减小，从而使得SRAM在容量不断增大的同时性能也在不断改善。目前在计算机、通讯和消费类电子产品中的应用越来越广泛，越来越普遍。 本文首先概述了半导体存储器的发展，阐述了SRAM的结构和工作原理，详细分析比较了SRAM外围电路中的灵敏放大器和地址译码器的几种结构和性能特点，在此基础上，着重论述了一种用于3.3V全CMOS 16Kb SRAM中新型结构的灵敏放大器及地址译码器的设计，并用CSMC(无锡上华半导体制造公司)0.6μm CMOS工艺模型，在不同的工作条件下对所设计的电路进行仿真和结构优化，同时将其放入整个SRAM中进行不同条件下的仿真，仿真结果表明所设计的新型结构的灵敏放大器和地址译码器均能在SRAM中正常工作，满足设计要求。