有机薄膜晶体管阵列的制造是柔性电子制造的核心,影响其性能的关键参数是沟道长度。针对光刻工艺制备晶体管沟道存在步骤复杂、成本高、不兼容有机材料,喷印工艺存在分辨率低、无法制备精细沟道等缺点,本文利用电流体直写工艺制备了精细沟道,并以此为基础制备了有机薄膜晶体管,主要研究工作如下:1)研究了近场条件下的电流体直写掩膜工艺,揭示了工艺参数(工作电压V、喷射高度H和收集板速度US)对泰勒锥、射流飞行状态及纤维形貌的作用规律,得到适合大面积掩膜制备的工艺参数并打印出了大面积晶体管沟道掩膜。2)提出了利用电流体直写纤维制备晶体管沟道的工艺方案,研究了磁控溅射过程对电流体直写纤维的形貌影响规律,揭示了掩膜纤维宽度与沟道长度的映射规律,制备出了大面积均匀的平形沟道及十字形沟道阵列。3)设计了基于电流体直写掩膜的晶体管制备方案(晶体管结构、材料及工艺流程)。通过绝缘层表面修饰改善了半导体薄膜质量,系统研究了沟道长度、宽度、聚3-己基噻吩的退火时间、退火温度对晶体管电学性能的影响规律,得到了晶体管的最佳工艺参数。本文利用电流体直写工艺的高分辨率、数字化控制等特点,提出了新型的晶体管沟道掩膜制造工艺,研究了工艺参数对掩膜形貌的影响,并分析了晶体管性能的影响参数,为晶体管阵列的喷印制备奠定基础。