电力电子技术经过几十年的快速发展,已经在越来越多的领域中得到应用。Si器件的发展已经逐步接近其物理极限,因此以SiCMOSFET为代表的宽禁带器件逐渐吸引了人们的关注,相比Si器件,SiCMOSFET有耐压高、损耗低、开关速度快、耐高温等优点,但是作为一种新型器件,SiCMOSFET的特性还未得到详尽的研究,这在一定程度上限制了其广泛应用。SiCMOSFET在关断时会产生较大的电压过冲,增大器件应力,而通过控制关断时的di/dt可以有效减小过冲,针对这个问题,本文提出了一种新型驱动方法,相比传统驱动方法不仅可以有效控制di/dt,而且能减小关断延时、降低关断损耗。已经有许多工作对SiCMOSFET在不同母线电压下的短路承受能力进行了研究,但是对于其在不同门极电压下的短路承受能力研究则比较少,因此本文研究了 SiCMOSFET在600V母线电压下短路承受时间随门极电压变化的情况,当门极电压下降时,其短路承受时间快速增长,短路电流峰值也会降低。根据短路特性的研究结果,本文设计了一种短路保护电路,并且为了控制器件短路后关断产生的电压过冲,短路保护电路中增加了软关断的测试,相比硬关断,软关断可以有效减小短路保护的过冲。