有机电致发光器件(organic light emitting diode, OLED)反应时间快、可弯曲、可广视角、具有自发光、面板厚度薄、工作电压低及高亮度等特性,这些特性使它在未来的平板显示和照明领域有着很广泛应用,因此,它已成为海内外非常热门的产业。目前OLED还有许多问题亟待解决。本文从材料性能、器件结构、器件的界面特性、封装性能等方面对有机电致发光器件进行了研究,使得器件效率得以提升。采用电脑连接Keithely2400电源和PR-655SpectraScan所组成的测量系统对所有器件的电压、电流、亮度和光谱进行了测试。研究的工作主要有：(1)使用新型绿色磷光材料GIr1作为掺杂剂,研究了新型材料对绿色磷光OLED器件的影响。其结构为ITO/MoO3(50nm)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CPB:GIr1(30nm, x%)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),其中x%为发光层主客体掺杂质量分数。对7种不同的掺杂剂质量分数进行了比较,研究了它们的电致发光特性。结果显示：对发光面积为2.72cm2的器件,GIr1的最佳掺杂比为14%,器件的起亮电压为3.5V,器件的最大电流效率26.2cd/A,其相应的EL主峰位于524nm,色坐标(0.34,0.61),得到了发光性能稳定的绿色有机电致发光器件。(2)制作了一种双空穴结构的绿色磷光OLED器件,研究了双空穴型阳极结构对绿色磷光OLED的影响。器件结构为ITO/HAT-CN(Xnm)/MoO3(30nm)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CPB:GIr1(30nm,14%)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),其中X=0、8、10、12、14、15nm。由器件的电流密度-电压-亮度曲线,说明该结构有利于降低驱动电压和增强器件亮度,当HAT-CN厚度为12nm时,器件的最高亮度可以达到32480cd/m2,起亮电压为3.5V左右,发光效率为24.2cd/A。设计的空穴型器件证明了该器件结构具有很好的空穴注入和传输特性。(3)通过在发光层与空穴传输层之间增加电子阻挡层TCTA,研究了电子阻挡层对黄色磷光OLED的影响。器件结构为ITO/MoO3(60nm)/NPB (40nm)/TCTA(xnm)/CPB:GIr1:R-4B(30nm,14%,2%)/BCP(10nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),其中X=0、5、10、15nm。当TCTA的厚度为10nm时,起亮电压为4V左右,器件的最大发光效率为20.2cd/A,最高亮度可以为21840cd/m2,器件的色坐标为(0.42,0.53),器件的EL主峰位于524nm和604nm。并且当电流密度为2.49mA/cm2时,10nm厚的TCTA电子阻挡层的器件发光效率是不加入TCTA的器件发光效率的2倍。(4)将氧化钼插入氟化锂和铝之间作为阴极缓冲层来提高白色荧光OLED的效率。通过改变氧化钼的厚度,在氧化钼厚度为0.8nm的器件中,电流密度为160mA/cm2时,得到了一个较高的电流效率为5.79cd/A,几乎是不加氧化钼器件的2倍。所做的电子型器件可以说明氧化钼层对载流子注入的影响。分析提高器件效率的机理是加入氧化钼后减少了发光层中激子的淬灭和阴极电子的注入能力得到提高。(5)研究了碳酸铯作为电子注入层对蓝光OLED器件性能的影响。结果表明,与常用的LiF/Al结构相比,Cs2CO3/Al结构的电子注入能力更强。对Cs2CO3电子注入层的厚度进行了优化,表明Cs2CO3厚度为1.5nm时,器件的发光效率和功率效率有很大提高,在较低电流密度(13.2mA/cm2)下即达到其最大发光效率(3.04cd/A)。(6)研制了OLED玻璃后盖,对器件进行封装来减缓器件亮度的衰减。通过分析了氢氟酸浓度、温度、超声和反应物对玻璃刻蚀厚度和玻璃表面平整度的影响,得到了一种简单制备玻璃盖的工艺方法：在氢氟酸浓度为40%,在超声波清洗器中进行玻璃的腐蚀,腐蚀时间为15min,在腐蚀过程中间隔一定时间冲洗反应物后可以得到厚度为0.177mm,表面平整的玻璃封装盖,符合有机电致发光器件的封装要求。