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目前平板显示领域中,有机电致发光(OLED)显示器件是国内外研究的热点之一。OLED显示器件经常采用ITO膜作为有机发光的出射面和透明电极,要求ITO膜可见光透过率、导电性、表面平整度以及功函数都很好。低电阻率的ITO膜可以通过提高沉积时的衬底温度或高温退火来获得。然而,对于柔性OLED、顶发光OLED、有源矩阵OLED等器件,必须在低温下沉积ITO透明电极。本论文针对OLED器件透明电极的要求,对ITO膜的低温制备工艺进行了深入的研究。首先,依据氢气的还原作用在溅射气氛中引入水蒸气,采用直流磁控溅射法在衬底温度低于200℃的条件下制备ITO膜。使用正交试验法初步确定五个可变溅射参数:溅射压强、O2流量、H2O分压、溅射功率、衬底温度。然后对正交试验确定的溅射参数进行优化试验,得出ITO膜沉积的最佳工艺参数组合:膜厚100nm,溅射压强1mTorr、O2流量0sccm、H2O分压2×10-5Torr、溅射功率200 W、衬底温度100℃,利用此工艺参数组合制备ITO膜的光电性能指数为3.10×10-3S,方阻为53.8?/□,可见光区平均透过率为83.6%,平均粗糙度为1.794nm。本论文首次使用薄膜的光电性能指数来确定制备ITO膜的工艺参数,比较全面地分析了ITO膜的各方面性能和各工艺参数对ITO膜性能的影响。由于水蒸气是新引入的气体,论文重点讨论了水蒸气分压强对ITO膜方阻、透过率、均匀性、内部结构以及表面形貌的影响。其次,为了进一步提高室温下沉积的ITO膜导电性,采用ITO/Ag/ITO三层结构的复合薄膜代替单层结构的ITO膜。试验表明:当Ag膜厚度为10nm时,ITO(50nm)/ Ag / ITO(50nm)复合膜的光电性能指数达到最高值2.52×10-2S,方阻为6.33?/□,可见光区平均透过率为83.17%,550nm处的透过率为86.83%。论文研究了Ag层厚度与复合膜光电性能的关系,得到了很有价值的试验数据。最后,制备了由商用ITO膜、自制的单层ITO膜和ITO/Ag/ITO复合膜作为阳极的OLED器件,并对三种OLED器件的性能进行了比较。ITO/Ag/ITO复合阳极的OLED器件具有最小的开启电压,在相同的电压下电流密度和亮度最大;自制单层或多层阳极的OLED器件的电流效率都高于商用阳极的OLED器件。