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近年来，随着电子科技的飞速发展，平板显示的面板尺寸日益增大，色彩饱和度和分辨率逐渐提高，反应时间不断减小。这就需要显示器件的基本元件-薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)能更好的履行其开关和驱动作用。继而要求TFT具备理想的场效应迁移率、源漏电流、开关比等重要的性能参数。然而，由于受到外界环境和制备工艺的影响，TFT器件的源漏电流很容易发生偏移，这会导致TFT在线性区的源漏电流发生扭曲，从而影响TFT性能参数的提取和降低电流的驱动能力。氧化物TFT(特别是ZnO TFT)凭借着其较高的迁移率、高透明度、低工艺温度等优点而备受关注。本论文采用脉冲激光沉积(Pulsed LaserDeposition，PLD)方法制备了Al掺杂ZnO (ZAO) TFT，然后研究退火温度、沟道宽长比、氧气压强、激光能量、衬底温度等工艺参数对ZAO TFT的电流偏移的影响，期望获得高性能且无电流偏移的ZAO TFT。具体研究内容和研究结果如下：1.采用PLD方法制备了ZAO薄膜以及对应的ZAO TFT，研究了退火温度、沟道宽长比对ZAO TFT器件的电流偏移的影响。结果表明，随着退火温度由200oC升高到500oC，ZAO TFT的电学性能逐渐改善，电流偏移逐渐减小；随着沟道宽长比由7.5增大到31.5，ZAO TFT的源漏电流从17μA增大到51μA。2.采用PLD方法在不同氧气压强、激光能量、衬底温度下制备了ZAO薄膜以及对应的ZAO TFT，研究了这些工艺参数对ZAO薄膜的微观结构及ZAO TFT的电流偏移的影响。结果表明，随着氧气压强由0mTorr增加到20mTorr，ZAO TFT的电流偏移减小；随着激光能量由150mJ增加到450mJ，ZAO TFT的电流偏移增大；较低衬底温度50oC~300oC下制备的ZAO TFT的电流偏移程度随着衬底温度的升高而减小，300oC制备的器件的电流偏移几乎消失；较高衬底温度300oC~500oC下制备的ZAO TFT在退火前的电学性能随着温度的升高而改善，在退火后，随着温度的升高电流偏移变大；10mTorr氧气压强，250mJ激光能量，300oC衬底温度下制备的ZAO TFT呈现良好的电学特性，宽长比为7.5的ZAO TFT在漏压为5V时的场效应迁移率为3.43cm~2/V·s，在漏压和栅压都为20V下工作电流为60μA。3.基于M. Petrosino的电流偏移模型，根据ZAO TFT的结构原理，结合上述实验结果，在考虑ZAO TFT的栅极漏电流以及源漏电极之间的电势差的基础上，建立模型对ZAO TFT的电流偏移进行了模拟。结果表明，模拟的电流偏移与实验的电流偏移非常吻合；随着栅极漏电流的增大，ZAO TFT的电流偏移增大；随着源漏电极之间的电势差的增大，ZAO TFT的电流偏移增大。