论文部分内容阅读
目的：探讨电针手厥阴心包经穴对血管新生的保护效应和抗脑缺血损伤的作用机制,为手厥阴心包经穴在脑血管疾病中的应用提供部分实验依据。方法：将50只SD大鼠随机分为正常组、模型组、假手术组、心包经穴组、大肠经穴组,每组10只大鼠。心包经穴组、大肠经穴组均在MCAO造模后6h、24h、48h、72h予电针治疗30min；其它组别分别在6h、24h、48h、72h只进行捆绑处理30min；观察各组大鼠在不同时相点神经功能缺损的变化；用双抗夹心酶联免疫(ELISA)法检测血清的VEGF浓度；免疫组化染色法检测脑梗死区微血管密度及VEGF的表达；荧光定量PCR法检测VEGFmRNA的表达。结果：1.与正常组、假手术组比,模型组、心包经穴组、大肠经穴组各个时间点的神经功能缺损明显(P<0.01)。模型组内72h神经功能缺损评分高于2h(P<0.05),说明造模后3天大鼠神经功能损伤有加重趋势。心包经穴组、大肠经穴组对MCAO大鼠神经功能缺损有一定的改善作用(P<0.05),且两者之间作用相当(P>0.05)。2.与正常组、假手术组比,模型组、心包经穴组、大肠经穴组均能促进VEGF在血清中的表达(P<0.01),而后两组促进VEGF在血清中的表达的作用均强于模型组(P<0.01),但两组之间作用相当(P>0.05)。3.与正常组、假手术组比,模型组、心包经穴组、大肠经穴组均能促进VEGF在脑梗死区的表达及微血管的形成(P<0.01),而心包经穴组、大肠经穴组的作用强于模型组(P<0.01),且心包经穴组强于大肠经穴组(P<0.01)；并且脑梗死区VEGF目标数与微血管密度的相关性分析表明两者之间呈线性关系(P<0.01)。4.与正常组、假手术组比较,模型组、心包经穴组、大肠穴经组均能促进VEGF在脑梗死区的基因表达(P<0.01),且心包经穴组的表达作用优于其他两组(P<0.05),模型组与大肠经组两者表达相近(P>0.05)。结论：1.大鼠造模后3d,模型组神经功能缺损有加重趋势,模型组中血清VEGF、脑梗死区中VEGF、VEGFmRNA的表达及微血管的形成均高于正常组与假手术组,说明缺血损伤能引起机体自身修复机制的发生。大鼠造模72h后,心包经穴组与大肠经穴组能一定程度的改善MCAO大鼠神经功能的缺损。2.模型组能在一定程度上血清VEGF、脑梗死区中VEGF、VEGFmRNA的表达及微血管的形成,说明机体在缺血损伤后具有一定的自我修复或者代偿作用。电针心包经穴组与电针大肠经穴组均能促进血清VEGF、脑梗死区中VEGF、VEGFmRNA的表达及微血管的形成；说明电针能促进脑梗死区的血管新生,能增强机体的抗缺血损伤和抗神经损伤的作用。MCAO大鼠的脑梗死区微血管密度与VEGF两者呈正相关性,也一定程度上验证了VEGF在血管新生中有重要作用的说法。3.电针心包经穴组与电针大肠经穴组均能促进血清VEGF、脑梗死区中VEGF、VEGFmRNA的表达及微血管的形成；但电针心包经穴的作用强于电针大肠经穴。