本文借助于MA0240/750微弧氧化电源、TT260涡流测厚仪和WGG60-E4光泽度计等设备,研究了微弧氧化的起弧时间、起弧电压与电流密度、占空比之间的关系,温度、占空比、电压等参数对陶瓷层附着力的影响趋势,陶瓷层生长的动力学和电流密度、试样面积对表面陶瓷层的光泽度的影响,利用JSM6460扫描电子显微镜和Oxford INCA能谱仪分析了试样表面形貌和物质成分,对比了起弧前后氧化不同时间试样的形貌和元素含量。研究结果表明:铝合金微弧氧化起弧的表面临界条件是试样的整个表面被覆盖了一层AlxOy膜和能量临界条件分别和电流密度0. 2A/dm2;起弧前非晶态AlxOy氧化物在试样表面呈点面方式生长;起弧后,非晶态AlxOy转化成晶态的氧化物,微弧氧化陶瓷层星点线网面方式生长。起弧时间随着占空比的减小而缩短,起弧电压随面积大小成正比增加。溶液温度、占空比和电压对陶瓷层的附着力都有影响,而且附着力随着温度、占空比和电压的上升而增大:满足附着力要求的温度、占空比和电压的下限值分别为45℃、21%和600 V;其中温度对附着情况的影响时通过影响电解质的电离程度来实现的。占空比对陶瓷层生长无影响,而电流密度和温度对其存在较大影响,陶瓷层生长速度随电流密度的增大和溶液温度的升高而加快。微弧氧化陶瓷层光泽度与试样面积大小无关,而与电流密度有关,且在微弧氧化初期,光泽度随电流密度的增大而变差,到了中后期,与电流密度大小无关;表面光泽度随着氧化时间的延长而变差。