【摘 要】
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在科技不断进步和集成电路飞速发展的今天,各种各样的电子设备对半导体材料性能的要求不断提高。稀磁半导体材料具有磁光、磁电、磁输运等各种新颖的特性,使其在航空、航天等
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在科技不断进步和集成电路飞速发展的今天,各种各样的电子设备对半导体材料性能的要求不断提高。稀磁半导体材料具有磁光、磁电、磁输运等各种新颖的特性,使其在航空、航天等高科技领域中有着巨大的应用前景。高性能稀磁半导体材料的研究,日益成为科技界的热点。本文采用溶胶凝胶法制备了Co掺杂ZnO和Co、Cu共掺杂ZnO粉体材料,成功获得了室温铁磁性。通过XRD、SEM、VSM等表征手段对样品的结构、形貌以及磁学特性进行了表征。实验结果表明,Co的掺杂并未改变ZnO的纤锌矿型晶体结构,但是Co掺杂量的增大会降低样品的结晶质量;SEM测试表明,随着Co含量的增加,样品的颗粒度变大;VSM测试表明,随着Co含量的增加,样品的磁性变差。此外,Co、Cu共掺杂并未改变ZnO的纤锌矿型晶体结构,但是所制备样品的形貌有一定的变化,VSM测试表明样品显示顺磁性。结合样品磁性能测试结果以及Co和Cu的氧化物的铁磁性能的分析,认为观察到的Co掺杂ZnO的铁磁性是样品本身所具有的性质,而不是来源于样品中的第二相。对Co、Cu共掺杂ZnO粉体材料,在引入Cu离子的过程中产生了CuO, CuO是一种反铁磁性的物质,因此共掺杂的样品没有铁磁性。
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