【摘 要】
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具有忆阻特性的电阻式随机存取存储器(RRAM)器件因结构简单、可扩展性强、性能优异等特点,被认为是最有希望替代传统硅基闪存的下一代新型非易失性存储器。基于有机阻变材料的有机阻变存储器(ORSM)由于其有机材料对比无机材料成膜方法简单、柔性、成本低等优点,在存储器件领域拥有广阔的发展前景。有机共轭分子的施主-受主(D-A)的二元体系是一种常见的有机功能层材料体系,可以通过溶液法旋涂成膜应用到ORSM
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具有忆阻特性的电阻式随机存取存储器(RRAM)器件因结构简单、可扩展性强、性能优异等特点,被认为是最有希望替代传统硅基闪存的下一代新型非易失性存储器。基于有机阻变材料的有机阻变存储器(ORSM)由于其有机材料对比无机材料成膜方法简单、柔性、成本低等优点,在存储器件领域拥有广阔的发展前景。有机共轭分子的施主-受主(D-A)的二元体系是一种常见的有机功能层材料体系,可以通过溶液法旋涂成膜应用到ORSM的活性层,通过调制主-客体之间的浓度关系来调制存储特性。然而,对于D-A体系的器件在调控多级阻变的电学性
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