双有源桥(DAB)变流器的磁偏抑制方法探究

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在众多的双向DC-DC电力电子拓扑中,双有源桥拓扑(DAB)由于具有电压增益范围宽、易实现软开关等优点,在能量储存系统、不间断电源系统(UPS)、电动汽车、固态变压器等场合具有较好的应用前景。在DAB的实际运行中,常常会在变压器及电感中产生直流电流,造成磁芯磁化偏置,即所谓的磁偏现象。DAB的稳态磁偏由电路参数和驱动信号不对称等原因造成,会使功率器件丢失软开关,并增加器件电流有效值,使功率器件的开关损耗和导通损耗同时增大;暂态磁偏则由移相角突变造成,使得电流瞬间出现较大峰值,易造成变压器和电感的磁芯饱和,损毁电路。本文针对DAB的稳态和暂态磁偏问题,分别提出了相应的抑制技术,从而提高DAB电路的稳定性和可靠性。针对DAB的稳态磁偏,本文提出了一种基于占空比调制的抑制技术,首先推导了零磁偏所需满足的条件,接着推导了从占空比(控制端)到直流偏置电流(输出端)的小信号模型,并据此设计了DAB稳态磁偏的闭环控制系统。采用了一种周期积分电路实现DAB原、副边直流偏置电流的准确采样,并采用隧道磁电阻(TMR)作为电流传感器。搭建了一台3200W的DAB样机,验证了周期积分电路和稳态磁偏抑制技术的有效性,可以实现变压器原、副边电流和励磁电流零偏置。针对DAB暂态磁偏,本文提出了一种基于峰值电流限制的抑制策略,通过设定电流阈值,当电流超过阈值后,使对应桥臂的方波电压提前翻转,抑制电流继续快速上升,进而避免磁元件饱和。仿真表明,该暂态磁偏抑制策略对DAB闭环控制动态响应无明显影响。实验采用单稳态触发器和逻辑门搭建暂态磁偏抑制电路,并在DAB样机上验证了暂态磁偏抑制技术的有效性。
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