OLED器件铟封接关键技术研究

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由于OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示具有:全固态显示、非常轻薄(只有不到LCD的三分之一的体积和重量)、亮度和对比度高、能耗低、响应速率快(≤10μs)、视角宽,自发光、成本低与加工简单、发光效率高等显示特点,OLED显示被称为第三代显示技术的主导者。但是目前OLED显示器件存在良率较低、寿命较短等问题。这些问题阻碍了OLED显示器件的进一步的发展以及其商业化的步伐。研究如何提高OLED器件的寿命,增加其市场竞争力具有重要的意义。通过改良封装提高OLED器件的寿命是目前最为直接有效的方法。本文首先介绍了OLED器件由实验研究走向市场的发展过程,总结了目前OLED器件存在的优势和缺点。阐述了OLED器件的发光原理和器件的主要结构,分析总结了现有的OLED器件的封装方法和导致OLED器件失效的主要原因。介绍了柔性OLED器件的优势特点和存在的主要问题,总结了目前用于柔性OLED器件的主要几种衬底。从云母薄片的各项性能出发,提出了用云母薄片作为柔性OLED器件衬底的方案,从原理上设计了云母衬底的柔性OLED器件的结构和封装方法。研究了UV胶封装的OLED器件与在高真空环境下的OLED器件的寿命影响因素。发现在基本不用考虑水汽与氧气对器件寿命影响的高真空环境下,OLED器件的寿命有比较大的提高,提高幅度达36.8%。接着设计了铟封接用于OLED器件的实验方案。进行了基片盐酸刻蚀ITO的方法研究,优化设计了加热层以及金属过渡层的掩膜板,研究了镀制SiO2绝缘层和在金属过渡层上制备In-Sn合金和In-Bi合金的方法。对基板与盖板的铟封接的方法进行了研究和探索,最后获得了封接性能良好的铟封接器件。对以云母作为柔性OLED器件的衬底做了初步的研究和探索。由于研究时间以及实验硬件设施的限制,实验通过优化工艺参数及设计方案,制备了铟封接各个功能层薄膜,并实现了上下基板的封装。文章所提出的制备铟封接的实验方案与实验方法,以及成功封接的经验和工艺要求、参数,为以后铟封接应用于OLED器件以及柔性OLED器件建立了坚实的基础。
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