【摘 要】
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氮化镓(GaN)做为一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物,因其优异的化学稳定性、高电子迁移率、高熔点、高热导率和禁带宽度等优点而在微电子和光电等领域应用广泛。本文在简单管式加热炉中采用化学气相沉积法,合成了高质量一维氮化镓(GaN)纳米线;GaN纳米线阵列;及锑磷共掺杂GaN纳米线。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线能谱(EDX)和阴极射线发光(CL)等表征手
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氮化镓(GaN)做为一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物,因其优异的化学稳定性、高电子迁移率、高熔点、高热导率和禁带宽度等优点而在微电子和光电等领域应用广泛。本文在简单管式加热炉中采用化学气相沉积法,合成了高质量一维氮化镓(GaN)纳米线;GaN纳米线阵列;及锑磷共掺杂GaN纳米线。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线能谱(EDX)和阴极射线发光(CL)等表征手段对样品进行了检测分析,并对部分产物的微观结构、CL性能和形成机理进行了研究,得到以下主要结论:
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