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AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)具有较高的内量子效率,有望取代汞基光源成为新一代紫外发光首选.然而,其功率的进一步提升仍存在不少制约效应.常见的台面型LED中,n-AlGaN电流扩展层的电流拥堵就是其中之一.本文提出一种重复生长的梯度量子阱结构形成电子输运多通道,代替一般单组份n-AlGaN体材料作为电流传输层,在扩散电流的同时通过组分调制,以提升电子平面迁移率来降低n型层电阻.梯度量子阱结构的具体设计为n-Al0.7Ga0.3N 垒层与 Al0.55Ga0.45N/AlxGa1-xN(x=0.55-0.7)双组分量子阱形成的四层结构.我们采用雷丁平衡方程方法,考虑强内建电场对电子的限制作用,和可能存在的各类光学声子对电子的散射作用,对此结构中光学声子散射下的电子迁移率进行估算.结果显示,在0.57<x<0.68的组分范围内,通过避免界面声子散射,双组分量子阱设计均表现出高于单组分量子阱设计的电子迁移率.这是由于电子聚集在界面上,而三元混晶效应使体系不存在界面光学声子,电子迁移率因此明显提升.再结合平面内多输运通道对传导电子的分流作用,此双组分量子阱设计有望帮助缓解AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)中的电流拥堵效应.