【摘 要】
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本文设计了容量为4K*8的同步双端口随机静态存储器(SRAM-Static Random Access Memory)。在设计中采用了预充电及平衡技术,分段译码等技术。整个电路包括存储阵列、译码电路
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本文设计了容量为4K*8的同步双端口随机静态存储器(SRAM-Static Random Access Memory)。在设计中采用了预充电及平衡技术,分段译码等技术。整个电路包括存储阵列、译码电路、时钟及控制电路、敏感放大器、数据输入输出电路,预充电路等部分。在SRAM的设计中着重考虑了提高SRAM可靠性和单粒子翻转的能力。本文分析了单粒子辐射对集成电路可靠性的影响,特别是对SRAM存储器的影响。建了粒子冲击的形成的瞬态电流的方程。利用VerilogA语言建立单粒子形成的瞬态电流模型比较分析了现有的高可靠的存储单元的性能。根据分析结果和现有工艺要求,设计了高可靠的静态存储单元。使用了HSpice仿真存储器的电路功能和抗干扰能力。结果显示高可靠的存储器在节点受到辐射产生10pC电荷影响下仍能够正确的工作。高可靠的存储器在工作频率、时序、功耗等方面同通用型的存储器相同,达到了设计目标。
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