随着电路系统集成度越来越高,其抗电磁脉冲干扰的能力却下降,当受到类似高功率微波(HPM)电磁脉冲辐射时,集成电路系统可能出现瞬时失效或永久性损坏,因此研究集成电路的HPM效应及其防护技术越来越受到人们的重视。在集成电路HPM效应研究中,试验法时间长、成本高,缺乏机理分析；理论模拟法建立的是一些特定的模型,应用范围不够普遍。本论文针对上述方法存在的不足,将HFSS电磁仿真软件与ADS电路仿真软件联合使用,建立了HFSS-ADS场路结合分析方法。论文以高电子迁移率晶体管ATF54143的低噪声放大器(LNA)为研究对象,首先分析了LNA的HPM效应,然后以场路结合理论为基础,通过建立LNA的HPM效应模型,分析了HPM对LNA的增益、噪声系数以及管脚电压的影响。研究结果表明：晶体管ATF54143的栅极为电磁敏感点,当微波以水平极化方式辐射LNA时,感生电压最小,当微波以垂直极化方式辐射LNA时,感生电压最大,因此在HPM防护中,应重点加强栅极保护。论文最后利用所建立的HFSS-ADS场路结合分析方法和实验方法,对生活中常见的电子设备(MP3音乐播放器)进行HPM电磁敏感性分析。联合使用电磁仿真软件与电路设计软件,对MP3电路板建模,模拟分析出MP3电路板的电磁敏感区分布;同时,建立EI抗干扰开发实验平台,利用SGZ21脉冲群发生器对MP3实物电路板施加干扰,测量出MP3实物电路板的电磁敏感区分布。将仿真分析结果与实验分析结果进行对比,得出本文所建立的HFSS-ADS场路结合分析方法能够有效地分析HPM对集成电路的损伤效应,这对电路设计及HPM防护设计具有指导作用。