In(GaAl)PLED掺杂工艺和异质结弛豫机制的研究

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以InGaAlP为代表的四元化合物作为高亮度发光二极管(LED)材料正在引起广泛的重视.该论文针对高亮度发光二极管(LED)器件与材料,利用二次离子质谱(SIMS)分析手段研究了掺杂元素Mg在InGaAlP和Gap中随衬底温度及Cp<,2>Mg流量变化的掺杂行为.在该论文中还对金属-Ⅲ-Ⅴ族半导体间的欧姆接触进行了初步研究,简要说明了AuGeNi/n-GaAs系统的欧姆接触形成过程.
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