【摘 要】
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相变存储器(Phase Change Random Access Memory,简称PCRAM)具有集成度高、速度快、与CMOS工艺兼容等优点,成为公认的最具潜力的新型非易失性存储器之一。PCRAM已替代部分FLASH存储芯片实现应用,然而要想替代DRAM则依然需要继续发展。基于传统的Ge_2Sb_2Te_5(GST)作为存储介质的PCRAM在保持力、操作速度、功耗等方面不能满足更高的发展需求。相
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相变存储器(Phase Change Random Access Memory,简称PCRAM)具有集成度高、速度快、与CMOS工艺兼容等优点,成为公认的最具潜力的新型非易失性存储器之一。PCRAM已替代部分FLASH存储芯片实现应用,然而要想替代DRAM则依然需要继续发展。基于传统的Ge_2Sb_2Te_5(GST)作为存储介质的PCRAM在保持力、操作速度、功耗等方面不能满足更高的发展需求。相比于GST,Sb-Te二元材料具有高速相变的特点受到科研人员的关注,其中,Sb_2Te和Sb_2Te_3
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