【摘 要】
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Sil-xGex/Si异质结应变材料作为下一代Si材料，因其在Si1-xGex/Si异质结高速器件和光电器件等领域广阔的应用前景而引起人们的广泛关注。Si1-xGex/Si应变材料的生长机理和生长动力学模型的研究对制备低缺陷、高质量的材料和器件具有重要的理论指导意义。本文系统阐述了Si1-xGex/Si应变材料的特点、制备工艺和表征技术等内容，对Si1-xGex/Si应变材料的制备工艺，特别是超高
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Sil-xGex/Si异质结应变材料作为下一代Si材料，因其在Si1-xGex/Si异质结高速器件和光电器件等领域广阔的应用前景而引起人们的广泛关注。Si1-xGex/Si应变材料的生长机理和生长动力学模型的研究对制备低缺陷、高质量的材料和器件具有重要的理论指导意义。
本文系统阐述了Si1-xGex/Si应变材料的特点、制备工艺和表征技术等内容，对Si1-xGex/Si应变材料的制备工艺，特别是超高真空CVD（UHV/CVD）工艺技术进行了详细分析。基于CVD的热力学、动力学过程和薄膜材料生长理论，对Si1-xGex/Si应变材料的生长机理进行了深入研究，得到了应变Si1-xGex、应变Si材料生长的表面反应动力学模型，并对气体动力学模型和统一模型的建立方法等进行了说明。
本文提出的表面反应动力学模型综合考虑了凝聚系数、活化能和体原子密度等因素对Si1-xGex/Si应变材料生长的影响，具有一定的创新性。
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