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AlN薄膜具有很多优异的性能,在声电、光电等方面运用很广泛。制备AlN薄膜的技术种类很多,本文采用直流反应磁控溅射在Si(111)衬底上沉积制备,这也是工业运用中最常用的一种。本文使用单参量变化法得到多组AlN薄膜样品,对样品进行性能测试,分析参数变化对AlN薄膜结构形貌和光学性能的影响,找到最适合制备AlN(110)薄膜的工艺参数。本文中研究的参数有以下几种:1)氮气百分比。随着氮气百分比的增大,AlN薄膜衍射峰主要为六方结构AlN(110);AlN薄膜的沉积速率随着氮气百分比的增加先增快后下降;