功率DMOS是在MOS集成电路工艺基础上发展起来的电力电子器件,具有输入阻抗高,开关速度快,驱动功率小等优点。近些年,国内已有多家企业掌握了功率器件生产技术,市场竞争日趋激烈,企业必须提高产品良率,降低生产成本,缩短生产时间才能在激烈的市场竞争中立足。阈值电压是DMOS的重要参数,它对器件的开启和关断有重要影响,而DMOS体区的掺杂分布对该参数有显著影响。在对槽栅DMOS的工作原理、器件结构、工艺流程进行了深入分析的基础上,针对项目合作方的要求,本论文对常规槽栅DMOS的体区结构和制作方法进行优化,将目前普遍采用的“离子注入+高温推结”改为“多次离子注入+快速热退火”,以达到提高产品良率,缩短生产时间的目的。结合项目合作方的工艺能力,对槽栅DMOS器件的结构和工艺流程进行了优化设计。利用silvaco对器件结构参数和工艺参数进行了仿真调试,全面系统地研究了外延层和衬底对击穿电压和导通电阻的影响,以及Pbody的注入能量和剂量对阈值电压和导通电阻的影响,在此基础上获得了优化的器件结构参数和工艺参数。最终流片获得的槽栅DMOS器件指标达到:阈值电压1.3V~1.4V、阈值电压的良率≥99%,导通电阻≤23 mΩ、耐压≥68V,生产时间缩短约10个小时。