微晶硅电池具有较高的转化效率、低的光致衰退效应、且生产方法与非晶硅电池兼容等优点成为目前研究的热点。然而国内微晶硅电池的研究尚处于起步阶段，与国际技术水平仍有很大差距。影响电池效率的因素有以下两个：1）硅基薄膜材料的性能；2）电池前电极和背电极的性能。其中第（1）条硅基薄膜材料的性能是提高太阳电池性能的基础和关键。因此，本文重点研究了不同工艺参数对微晶硅电池PIN三层薄膜性能的影响规律，并根据不同膜层的性能要求，对工艺条件进行了优化，最终获得了性能优良的硅基薄膜。最后，在优化的工艺条件下，实现PIN三层薄膜的连续沉积，测试电池的性能指标，并以此来评价本文所获得的优化工艺条件。　　本文主要完成了以下几个方面的研究工作：　　1）研究了不同氢气稀释率和射频功率对P型α-SiC：H电导率和光学带隙的影响，确定了制备P型α-SiC：H的优化工艺参数，在这个工艺条件下制备了宽带隙（2.6eV），高电导率（8.7*10-7S/cm）的P型α-SiC：H薄膜。　　2）I层薄膜是微晶硅电池的核心，本文重点研究了不同硅烷浓度和衬底温度对I层薄膜性能的影响，确立了工艺参数—薄膜结构—薄膜性能之间的对应关系，最终得出这样的结论：具有中等晶化率的微晶硅薄膜材料适合作为电池的本征层。　　3）N层材料要有较高的电导率，以与金属电极形成良好的欧姆接触。本文通过改变Ph3掺杂浓度和射频功率，重点关注N型α-Si：H的电导率随工艺参数的变化规律，最终在优化的工艺参数下制备的N型α-Si：H薄膜暗电导率为2.37*10-3 S/cm。　　4）综合前面三章的内容，在优化的工艺参数条件下实现电池的连续沉积，电池整体结构为AZO/P型α-SiC/I型μc-Si/N型α-Si/AZO/Al，转化效率η为1.8％。这主要是因为背电极性能不够理想，影响了电池的整体性能，因此以后需要重点研究电池的背电极，以提高微晶硅太阳电池的整体性能。