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该文应用空间电荷谱研究了GeSi半导体低维量子结构的电学特性.从理论和实验上对Si基Ge量子点的导纳谱进行了系统的分析.运用深能级瞬态谱(DLTS)研究了Si基Ge量子点的时间相关的空穴俘获过程.较深入地研究了GeSi/Si量子阱结构的电导电压特性.
用空间电荷谱研究GeSi半导体低维量子结构的电学特性
【摘 要】
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该文应用空间电荷谱研究了GeSi半导体低维量子结构的电学特性.从理论和实验上对Si基Ge量子点的导纳谱进行了系统的分析.运用深能级瞬态谱(DLTS)研究了Si基Ge量子点的时间相关
【机 构】
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复旦大学
【出 处】
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复旦大学
【发表日期】
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1999年期
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