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目前,经过大量研究积累,人们对于纯钛酸钡陶瓷介电性能与压电性能的探索已形成较为系统的研究,但对于掺杂型钛酸钡阻抗特性及电导机制的研究相对较少。故本论文以此为出发点,选取钛酸钡作为基体,通过不同的掺杂处理,制备并研究了不同的陶瓷体系的电学性能。本论文以化学沉淀法和固相法制备了掺杂型钛酸钡陶瓷。通过X射线衍射分析,研究了掺杂对体系材料相结构的影响,结合显微共聚焦拉曼光谱分析,探究掺杂后复合材料局部结构的特征的变化。采用介电温谱测试、介电频谱测试以及高温阻抗谱测试等分析了掺杂后陶瓷试样的电学性能,如介电特性,阻抗特性等,主要研究内容与结果如下:首先,采用化学沉淀法制备了 Al3+掺杂BaTiO3陶瓷体系。通过介电性能分析,发现掺杂后的陶瓷体系在温度较低的范内(<200℃)具有极小频率变化量,其频率变化量均小于0.01,反映出体系良好的频率稳定性。通过铁电测试,获得材料的P-E曲线,与纯钛酸钡相比,掺杂后的试样均呈现电滞回线“束腰”的现象,且极化强度随Al3+掺入量的增加从 13.5 μC/cm2降至7.5 μC/cm2。其次,采用溶胶-凝胶法制备了 CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷粉。在此基础上,利用固相法,制备了CCTO相引入量分别为0.05、0.10、0.15、0.20的BT/CCTO复相陶瓷。在测试分析过程中发现,随着组分CCTO含量的增加,体系的频率依赖性增加,表现出低频条件下的性能优于高频,且整体的介电常数呈现先减小后增大的趋势。基于电模量与阻抗分析,建立了相应的[CR]等效电路模型。最后,研究了不同等价离子掺杂对钛酸钡陶瓷的影响,分别选取Ca2+与Cu2+进行掺杂。对于Ca2+掺杂的复合陶瓷,其弥散因子为1.49-1.79,Cu2+掺杂体系的弥散因子为1.21-1.39,表明两种掺杂均促使铁电体钛酸钡向着弛豫铁电体转变。此外,通过阻抗谱测试分析,研究了不同掺杂型钛酸钡陶瓷的电导机制,在此基础上计算了材料体系的激活能。Ca2+掺杂体系的激活能由1.02eV降至0.83eV;Cu2+掺杂后对应晶粒的激活能从0.92 eV降至0.68 eV,晶界部分由1.02 eV降至0.42 eV。