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近年来,因为具有广阔的潜在应用价值,有机半导体薄膜器件受到广泛关注和研究。研究有机半导体薄膜生长机理、理解有机半导体薄膜生长规律,对改进薄膜制备工艺、提高薄膜质量具有重要意义,有助于制备高性能有机半导体器件。因此本文利用分子束外延方法,分别在氧化铝基底和云母基底上制备PTCDI-C_5薄膜,同时利用差分反射光谱(DRS)、荧光光谱和大气环境下原子力显微镜(AFM)分别表征薄膜的吸收光谱、能级结构以及空气中表面形貌特征。通过三种方法配合使用,分析PTCDI-C_5薄膜在两种绝缘基底上的生长规律。本文的