本论文对InGaAs探测器的器件表征及器件性能进行了研究，主要分析了影响探测器暗电流及R₀A的各种噪声机制，取得了如下结果： 1．从理论与实验两个方面对In_0.53Ga_0.47As探测器的I-V特性进行了分析，结果表明在反向偏置低压区，产生—复合电流占主导地位，在反向偏置高压区，带带间隧道电流占主导地位。研究了In_0.53Ga_0.47As探测器结面积和电极尺寸对探测器暗电流的影响。探讨了In_0.53Ga_0.47As探测器反向偏压下暗电流的温度特性并对In_0.53Ga_0.47As探测器的R₀A进行了分析，其中主要探讨了R₀A随温度及i层载流子浓度的变化关系。此外，对In_0.53Ga_0.47As探测器的均匀性进行了研究。 2．测试了扩展波长In_0.6Ga_0.4As，In_0.7Ga_0.3As和In_0.8Ga_0.2As探测器的光谱响应，C-V特性，I-V特性和R₀A。对探测器系列的I-V特性进行理论模拟，理论模拟中暗电流分量主要包括扩散电流，产生复合电流，欧姆电流，隧道电流，理论结果与实验结果得到了较好的符合。用液氦循环制冷实现温度的变化测量暗电流随温度的变化关系，并进行了理论分析。此外，对扩展波长In_0.6Ga_0.4As，In_0.7Ga_0.3As和In_0.8Ga_0.2As探测器的R₀A进行了研究，其中主要探讨了R₀A随温度以及i层载流子浓度的变化关系，结果表明采用热电制冷，探测器可望获得更高的性能；i层的轻掺杂可使探测器的R₀A得到改善。 3．对In_0.53Ga_0.47As探测器阵列进行了初步的研究，制作了4×2元In_0.53Ga_0.47As阵列，初步测量了In_0.53Ga_0.47As探测器阵列的性能，为以后In_0.53Ga_0.47As探测器阵列的研究打下基础。