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SiC MOS器件SiC/SiO_2界面反应机理研究

来源 :北方工业大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：caoda0512116

【作 者】

：

万彩萍 

【出 处】

：

北方工业大学

【发表日期】

：

2017年05期

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