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该论文基于扫描探针显微术研究了金纳米粒子和铁电薄膜的电学性质;采用溶剂挥发法和Langmuir-Blodgett法制备二维有序金纳米颗粒阵列.首先采用单宁酸—柠檬酸三钠还原氯金酸和硼氢化钠还原氯金酸法分别制备出粒径在8.5nm和4~6nm的胶体金颗粒.利用电泳法将胶体金颗粒沉积在双硫醇修饰过的Au(111)表面,在室温下通过扫描隧道显微镜观察到单个颗粒的库仑阻塞现象.利用Langmuir-Blodgett方法制备了二维有序排列的金纳米颗粒阵列.通过"多步反复推放法"可以有效减少金颗粒之间的间距,但是由于金颗粒之间较强的相互作用,这种方法只能获得短程有序的二维排列.通过在底液中添加适量的氯化钠可以有效减少颗粒表面修饰分子干扰作用及颗粒之间的相互作用,从而可在硅片上获得长程有序的二维金纳米颗粒阵列.溶剂挥发法同样可以在硅片上形成二维有序排列的金纳米颗粒阵列,但其不易控制.用扫描压电显微术,观察了未掺杂和掺La、Eu的PZT的铁电畴分布,结果表明:在自发极化下,用溶胶-凝胶法得到的(Pb<,0.93>La<,0.07>)(Ti<,0.6>Zr<,0.4>)O<,3>(PLZT)、Pb(Zr<,0.52>Ti<,0.48>)O<,3>(PZT)、(Pb<,0.95>Eu<,0.05>)(Zr<,0.52>Ti<,0.48>)O<,3>(PEZT)和(Pb<,0.9>Eu<,0.1>)(Zr<,0.52>Ti<,0.48>)O<,3>(PEZT)的表面铁电畴呈现较大的不同,掺La和掺Eu的样品均比未掺杂的有较大的自发极化.含Eu为5％时自发极化强度最高,且大部分畴界位置与晶界接近.通过改变加在探针上交变电压的幅值,观察铁电畴衬度的变化,可以看到,当交变电压升高时,某些畴变得不稳定,极化方向不同于自发极化,而衬度随交变电压线性增加,表明该区域晶粒在垂直方向贯通膜面,矫顽力高于外电场,且无明显的缺陷所致的压电性损失.通过测量局域压电响应电滞回线,可以计算出局域压电系数(d<,33>),其结果比宏观测量值要小.