通过研究比较国内外单晶硅表面陷光结构制备的研究现状，发现黑硅是一种新型的高太阳吸收率的材料，黑硅具有多孔结构，在较宽波长范围对太阳光都能达到很好的吸收效果，即良好的广谱吸收性能，在光电领域具有十分重要的应用前景。采用化学腐蚀法来制备黑硅，研究黑硅的微观形貌对太阳吸收率的影响，同时分析腐蚀机理，陷光机理，贵金属的催化机理等。利用AFM、SEM、XRF、紫外可见吸收（透射）谱仪及半导体参数测试仪等测试方法，对黑硅的反射率、表面形貌、表面成分、剖面结构以及电学参数等进行表征。结果表明：采用以氯金酸为催化剂，双氧水为氧化剂，氢氟酸为络合剂，水为缓释剂，在超声波辅助作用下腐蚀单晶硅，得到了黑硅。通过观察不同工艺参数（超声、腐蚀时间和腐蚀温度）下黑硅的表面形貌，研究多孔结构对黑硅吸收率的影响，发现当多孔结构的高径比为0.6时，所得黑硅太阳吸收率为98.874%，且在300-800nm可见光区的反射率降低到了1%，其电学性能也表现出比较优异的性能，转化效率达到了15.18%。并对腐蚀过程中的机理进行了分析，单晶硅在腐蚀过程中，以化学吸附在表面的金纳米粒子为活性点，在催化剂下方及周围发生腐蚀反应，生成H₂SiF6和H₂，从而将表面的硅移走，形成多孔结构，多孔结构有利于增加二次反射，提高太阳吸收率。在节约成本的前提下，进行了催化剂优化研究，研究发现采用硝酸银代替氯金酸，采用KOH/IPA为腐蚀液，对单晶硅进行二次腐蚀，构筑多孔-金字塔结构，在金字塔上形成的多孔结构使得黑硅对于短波光的反应更为灵敏，所得金字塔结构黑硅的太阳吸收率为97.956%，转化效率为13.34%。这两种体系都大幅提高了单晶硅的太阳吸收率及转化效率。