本文采用真空蒸发镀膜技术和直流磁控溅射技术制备了不同金属(Ti、Al、 Ti/Al)过渡层A1N陶瓷覆Cu散热基板,实现了氮化铝(A1N)陶瓷基板的金属化,制得了可用于LED封装的高散热A1N基板。利用扫描电子显微镜(SEM)以及能谱仪(EDS)对所制基板表面及断面的微观结构和成分进行观察和分析,用X射线衍射仪(XRD)对所制基板的物相结构进行分析,用四探针测试基板表面的电阻率,通过正向电压法测试和分析了基板的热学性能。研究结果表明：1)过渡金属层的存在促进了金属Cu在A1N表面的浸润,并增加了所制基板表面金属层的致密度。基板表面的致密度随着金属过渡层的增加而增大。具有相同金属过渡层数的基板表面致密度与过渡层金属的原子半径成反比。2)不同金属过渡层与A1N在界面处键合的性质不同。Ti与A1N发生的是化学键合,在界面处的反应产物是TiN和Al3Ti, Al、Cu与A1N发生的是物理键合。3)Cu/Al/AlN基板的电阻率在所制的基板中最低(ρCu/Al/AlN≈1.7×10-7Ω·m),并且热导性也优于其它几种基板。综合所制基板的各性能指标,Cu/Al/AlN基板在四种基板中最优。本文还利用湿法腐蚀制备了满足二次离子质谱(SIMS)测试条件的LED试样。由于单个LED尺寸较小,表面覆盖有多层不同性质的材料,不能直接用于SIMS测试。通过一系列尝试,我们获得了此类样品合适的制备条件,能够满足SIMS测试的特殊要求。