论文部分内容阅读
目前，铸造多晶硅材料已经取代直拉单晶硅成为最主要的太阳能电池材料，但是铸造多晶硅电池的转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池的转换效率，这主要是由于铸造多晶硅中存在着高密度的缺陷和高浓度的杂质，如晶界、位错、氧、碳等。其中，氧是最主要的有害杂质元素之一。在材料生长过程中或电池制备过程中，过饱和的氧会在硅中形成热施主，新施主和氧沉淀等，而这些缺陷会显著降低太阳能电池的转换效率。因此，研究铸造多晶硅中氧关缺陷有着很重要的意义。本文在综述前人工作的基础上，采用四探针电阻率测试仪，光学显微镜，透射电镜和傅立叶红