石墨烯因为优异的电学、热学特性有望作为下一代的互连材料,但转移石墨烯表面通常会有PMMA残留的存在,这会影响器件的性能。因此,本文研究了转移石墨烯的表面处理,并提出了一种基于石墨烯浆料作为中间层的硅-硅低温键合的技术。首先,利用CVD法在铜箔上制备了单层石墨烯,并利用PMMA进行了石墨烯的转移,在Ar/H₂环境中对表面有PMMA残留的转移石墨烯进行退火处理。详细分析不同的退火条件对石墨烯表面PMMA残留产生的影响,结果表明PMMA残留的浓度随退火温度的升高而降低,在800℃时,PMMA残留几乎完全消失。接着,利用石墨烯浆料作为中间层在低温下实现了硅-硅键合。采用石墨烯粉末、炭黑等作为导电剂和PVDF粘结剂混合并溶于有机溶剂中形成石墨烯浆料用作硅-硅键合中间层。研究了不同键合条件下的键合结果。随着键合温度的升高到200℃,中间层的电阻逐渐减小并趋于稳定;在键合温度为200℃、键合压力为2000N、键合时间为30min时,键合强度约为5.5MPa,键合强度较好。通过SEM分析,发现键合界面不存在裂缝、孔隙等缺陷。根据键合结果,对基于石墨烯浆料中间层的键合机理进行了初步的探讨。基于石墨烯浆料的硅-硅低温键合技术在实验和理论上都具有一定的可行性,为微电子封装技术提供一种新的键合技术选择。