【摘 要】
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三元硫化物半导体Cu_3BiS_3的组成元素在地壳中含量丰富、无毒,且具有优异的光电性能,被认为是一种极具潜力的太阳能电池吸收层材料。Cu_3BiS_3的直接光学带隙约为1.5 e V,接近太阳能高效转换的理想带隙值,具有高光吸收系数(α>10~4 cm~(-1)),能够在较薄的吸收层内实现充分的光吸收,而且材料的制备温度较低(200~300℃)。然而,目前Cu_3BiS_3太阳能电池器件的相关报
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三元硫化物半导体Cu_3BiS_3的组成元素在地壳中含量丰富、无毒,且具有优异的光电性能,被认为是一种极具潜力的太阳能电池吸收层材料。Cu_3BiS_3的直接光学带隙约为1.5 e V,接近太阳能高效转换的理想带隙值,具有高光吸收系数(α>10~4 cm~(-1)),能够在较薄的吸收层内实现充分的光吸收,而且材料的制备温度较低(200~300℃)。然而,目前Cu_3BiS_3太阳能电池器件的相关报道还非常少,在材料的高质量制备、基本物性的解析、光电转化器件设计与制作诸多方面均有关键科学问题亟待解决。
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