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该论文工作主要利用宽禁带半导体材料p-型金刚石、n-型立方氮化硼及n-型氧化锌制备出p-型金刚石薄膜单晶/n-型立方氮化硼单晶的异质结和透明的p-型金刚石单晶/n-型氧化锌薄膜的异质结.该工作首次采用了一种新颖的固态掺杂技术,实现了立方氮化硼的高掺杂使其电阻率达到了IΩ·cm. 该工作首次采用光刻方法成功的引出了立方氮化硼的电极,从而实现了用四探针和霍尔效应方法对n-型立方氮化硼的电阻率的测试.用磁控溅射方法在I<,b>型金刚石衬底上成功沉积了具有(002)单一取向的氧化锌薄膜.该文首次成功地制备了透明的p-型金刚石/n-型氧化锌薄膜异质结.