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有机电双稳态存储器具备工艺简单、可折叠及存储密度大等优点。近年来,基于无机纳米材料和聚合物的复合材料被引入到电双稳器件中,已成为存储器件科研领域的一大热点。本工作中,我们制备了PbSe超晶格纳米材料和二氧化硅修饰PbSe超晶格纳米材料,分别与聚合物Polyvinyl Pyrrolidone(PVP)进行复合,采用旋涂的方法制备成电双稳器件,研究了器件的电学特性,讨论了器件的工作原理。主要内容如下:1.通过热水浴的方法制备了三维自组装PbSe超晶格,并对其进行了透射电子显微镜(TEM)、X射线粉末衍射(XRD)表征。利用聚合物PVP和PbSe超晶格制备了结构为ITO/PVP/PbSe superlattices/PVP/Al的电双稳器件。研究了用不同质量比的PbSe超晶格和聚合物PVP制作的器件的电流电压特性,通过与结构为ITO/PVP/Al的电双稳器件进行对比,来研究PbSe超晶格对器件电双稳特性的作用,并用载流子输运模型对实验结果进行拟合,对器件的电荷传输机制进行了研究。结果表明:当PVP和PbSe超晶格质量比为1:1时,器件性能最好,电流开关比可以达到7×104,ON态和OFF态电流可以保持104秒,几乎不衰减。器件的电双稳特性主要源于PbSe超晶格对电荷进行俘获、存储和释放。2.利用微乳液法制备了SiO2修饰表面的PbSe超晶格,并对其进行透射电子显微镜(TEM)表征。将PVP和SiO2修饰PbSe超晶格共混,通过简单旋涂的方法制成结构为ITO/PEDOT:P S S/PVP:SiO2修饰PbS e超晶格/Al的器件。研究了用不同质量比的Si02修饰PbSe超晶格和聚合物PVP制作的器件的电流电压特性,通过与结构为ITO/PVP/Al的电双稳器件进行对比,来研究SiO2修饰PbSe超晶格对器件电双稳特性的作用,并用载流子输运模型对实验结果进行拟合,对器件的电荷传输机制进行了研究。结果表明:当SiO2修饰PbSe超晶格和PVP质量比为1:3时,器件性能最好,电流开关比可以达到104。器件的电双稳特性主要源于修饰PbSe超晶格的SiO2对电荷进行俘获、存储和释放。