石墨烯一经制备出来就受到了广泛关注，这归结于石墨烯的二维平面晶体结构具有良好的力学、电学等性质和广阔的应用前景。石墨烯有很大的比表面积，因而吸附性能好。石墨烯是零帯隙的半导体，没有磁性，而用其它原子吸附、掺杂，可以引入磁性甚至打开帯隙，这在纳米电子器件方面很有前途。石墨烯吸附VA、VIA、VIIA族的典型原子，其最稳定的吸附位分别为桥位、桥位、顶位，而同一主族中最稳定的则是石墨烯吸附N、O、F的情况。对石墨烯吸附这三种原子的研究，得出结论： N、O原子的吸附为化学吸附，F原子的吸附更偏向于物理吸附；完整石墨烯是零帯隙的半导体，F、N吸附体系的费米能级发生了移动，并且穿过一条能级，体系成为导体，O吸附体系则是拥有较窄帯隙0.133eV的半导体；F、N吸附体系呈铁磁性，其磁性来源于吸附原子与石墨烯衬底的相互作用，而O吸附体系没有磁性。对不同衬底下石墨烯吸附B的研究表明：在较高覆盖度下，B与B之间作用大于与石墨烯衬底的作用，只有在较低的覆盖度（1/18）下，石墨烯吸附B原子才有明显的稳定吸附位，即桥位；空位碳缺陷和Si掺杂石墨烯吸附B原子的吸附能均大于完整石墨烯吸附B的情况，说明空位和Si掺杂都可以增强B的吸附作用，B原子吸附空位缺陷石墨烯饱和了衬底的大量悬挂键，而Si掺杂石墨烯对B的吸附则使体系变形严重；完整的、空位缺陷和Si掺杂石墨烯均没有剩余磁矩，而B的吸附均呈铁磁性，磁性的来源于B与石墨烯衬底的作用，改变了原来体系的自旋状态；Si掺杂石墨烯吸附B原子的态密度图和电荷密度图显示，体系近似呈半金属性。