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硫锡化合物SnS、SnS2和Sn2S3作为半导体材料,具有直接光学带隙窄的特点,这使得它们在光伏发生器件,近红外探测器和光学记录介质等应用方面具有很大的研究价值。本实验在前人研究的基础上,使用了一种新的电沉积液,采用恒电位电沉积法,成功制备了Sn2S3和SnS两种半导体薄膜材料。通过XRD、SEM、EDS、Mapping、XPS等表征手段,对沉积电位、退火温度、电沉积基底等工艺条件对薄膜结构、形貌及成分的影响进行了研究。最后通过UV-VIS-NIR, Hall test对制备的薄膜进行了